سامسونگ توسعه حافظه GDDR7 DRAM خود را به پایان رساند؛ پهنای باند 1.5 ترابیتی

سامسونگ امروز اعلام کرد که توسعه حافظه‌های GDDR7 DRAM را که برای بازار خودروها، کنسول‌های گیمینگ، پی‌سی‌ها، سرورها و ورک‌استیشن‌ها طراحی شده، تکمیل کرده است.  پهنای باند  این تراشه‌ها نسبت به نسل قبل  40 درصد  بیشتر شده و به 1.5 ترابیت بر ثانیه رسیده است.

حافظه GDDR7 DRAM با استفاده از بهبودهایی که در روش ارسال سیگنال PAM3 اعمال کرده، سرعت انتقال داده را  به‌ازای هر پین به 32 گیگابیت بر ثانیه  رسانده است. PAM3 حالا اجازه می‌دهد در هر چرخه ارسال سیگنال حدود 50 درصد داده بیشتری فرستاده شود.

تراشه حافظه سامسونگ GDDR7 DRAM بهینه‌تر شده است

این تراشه‌های جدید حدود  20 درصد بهینه‌تر  از تراشه‌های GDDR6 DRAM هستند. سامسونگ همچنین امکانی برای استفاده از ولتاژ پایین‌تر را در این تراشه‌ها ارائه می‌کند که می‌تواند برای لپ‌تاپ‌ها و سایر دستگاه‌های این‌چنینی مفید باشد.

در تصویر بالا می‌توان دید که دای (die) حافظه GDDR7 از فرم فکتور  266 پین BGA  استفاده می‌کند، درحالی‌که نسل قبلی از  180 پین  بهره می‌برد. بدین‌ترتیب، محصولات نسل بعدی باید تغییرات بزرگی را درزمینه PCB ایجاد کنند تا بتوانند از این افزایش 50 درصدی پین‌ها پشتیبانی نمایند.

غول فناوری کره جنوبی برای  کاهش تولید حرارت  در بسته‌بندی این تراشه از ماده جدید EMC استفاده نموده و معماری IC خود را بهینه کرده است. تمام این بهبودها باعث شده تا تراشه حافظه جدید سامسونگ  تا 70 درصد  مقاومت گرمایی کمتری داشته باشد و به همین خاطر عملکرد بهتر و پایدارتری را درزمینه اجرای عملیات‌های پرفشار از خود نشان دهد.

مهم‌ترین مشتریان سامسونگ در دنباله سال 2023 آزمایش تراشه‌های حافظه GDDR7 DRAM را آغاز می‌کنند. پیش‌بینی می‌شود که از این تراشه‌ها در پردازشگرهای گرافیکی سری RTX 50 انویدیا استفاده شود.